pte20210322025 in Forschung
Siliziumbasierter Laser rückt in Sichtweite
THz-Lichtemission von Quantenstrukturen des n-Typs aus Germanium und Silizium nachgewiesen
Frankfurt an der Oder (pte025/22.03.2021/12:30)
Forschern des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP) http://www.ihp-microelectronics.com ist eigenen Angaben nach ein Meilenstein auf dem Weg zum siliziumbasierten Laser gelungen. Sie haben erstmals die THz-Lichtemission von Quantenstrukturen des n-Typs aus Germanium und Silizium nachgewiesen, das am häufigsten verwendete Material elektronischer Geräte.
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