pte20210322025 in Forschung
Siliziumbasierter Laser rückt in Sichtweite
THz-Lichtemission von Quantenstrukturen des n-Typs aus Germanium und Silizium nachgewiesen
Frankfurt an der Oder (pte025/22.03.2021/12:30)
Forschern des Leibniz-Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP) http://www.ihp-microelectronics.com ist eigenen Angaben nach ein Meilenstein auf dem Weg zum siliziumbasierten Laser gelungen. Sie haben erstmals die THz-Lichtemission von Quantenstrukturen des n-Typs aus Germanium und Silizium nachgewiesen, das am häufigsten verwendete Material elektronischer Geräte.
Profitieren Sie von
unabhängigem Journalismus!
Lesen Sie mit pressetext Abo+ weiter und unterstützen Sie
Qualitätsberichterstattung für nur 1 EUR pro Woche!
Wenn Sie bereits ein Konto haben, loggen Sie sich ein.
Das Angebot beläuft sich auf 1 EUR pro Woche bzw. 49 EUR im Jahr
– und das, solange Sie wollen. Sie bleiben flexibel, denn Ihr pressetext Abo+
passt sich an Ihre Lesegewohnheiten an und ist jederzeit kündbar