Nanographen macht Flash-Speicher noch kleiner
Neue Methodik verbessert Performance von Elektrogeräten enorm
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Speicherkarte: neues Zeitalter für Flash kommt (Foto: pixelio.de/Bigeasyshoots) |
Peking (pte020/06.11.2015/11:30) Um die Kurzschlussgefahr bei immer kleiner werdenden Flash-Speichern zu verringern, halten Forscher der Chinese Academy of Sciences http://english.cas.cn nach graphenbasierten "Charge Trapping"-Bauteilen Ausschau. Sie gelten als Alternative zu herkömmlichen Floating-Gate-Flash-Speichern.
Schlüssel Nanographen-Inseln
"Um die Datenspeicherung zu verbessern, ist es notwendiger, den Fußabdruck eines einzelnen Netzpunktes zu verringern, als eine hohe Dichte der Datenspeicherung zu gewährleisten", erklärt der Pekinger Forscher Jianling Meng. Der größte Vorteil von kleinen Flash-Speichern in Handys und Computern sei die höhere Speicherkapazität. Noch dazu können kleinere Flash-Speichersysteme die Datenübertragungsgeschwindigkeit von Programmen erhöhen.
In der neuen Technologie werden Elektronen und andere Ladeteilchen in kleinen Defekten im Graphen gelagert, die die Forscher "Nanographen-Inseln" nennen. Je mehr es von diesen Inseln gibt, umso mehr Ladung kann gespeichert werden. Das wiederum mündet in einer höheren Speicherkapazität.
Wettbewerbsfähige Leistung
In ihrer neuen Untersuchung haben die Wissenschaftler eine Methode zur Fabrikation von Nanographen mit einer Dichte von mehr als 1.012 Nanographen-Inseln pro Quadratzentimeter entwickelt. Mit einer bestimmten Technik wird dabei eine Vielzahl solcher Defekte entwickelt, die für die Lagerung der Elektronen gebraucht wird.
Die immense Zahl solcher Ladezonen ermöglicht es den Forschern letztlich, ein Speichergerät zu entwickeln, welches eine sehr wettbewerbsfähige Performance aufweist. So ist den chinesischen Forschern gelungen, das größte Speicherfenster mit neun Volt - bislang jedoch nur für graphenbasierte Charge-Trapping-Memory zu entwickeln.
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