pte20010209024 in Forschung
Samsung präsentiert 4 Gbit DRAM-Chip
Speicher basiert auf 0,10-Micron-Technologie
Seoul (pte024/09.02.2001/12:30)
Samsung http://www.samsung.co.kr
hat einen 4 Gbit DRAM-Chip unter Anwendung der 0,10 Micron Produktionstechnologie entwickelt. Der 4 Gbit DRAM hat eine Kapazität von 4,29 Mrd. Bits. Ein einzelner Chip kann so 32.000 Zeitungen oder 1.600 Fotos oder 64 Stunden Hördaten speichern. http://www.samsung.com/news
hat einen 4 Gbit DRAM-Chip unter Anwendung der 0,10 Micron Produktionstechnologie entwickelt. Der 4 Gbit DRAM hat eine Kapazität von 4,29 Mrd. Bits. Ein einzelner Chip kann so 32.000 Zeitungen oder 1.600 Fotos oder 64 Stunden Hördaten speichern. http://www.samsung.com/news
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