Kapazitäts-Durchbruch bei Phasenwechsel-Speicher

IBM Research Zürich hat heute, Donnerstag, einen Kapazitäts-Durchbruch bei dem als Flash-Nachfolger gehandelten Phasenwechsel-Speicher (Phase-change Memory, PCM) bekannt gegeben. Forschern ist es erstmals gelungen, ähnlich wie bei Flash durch MLC-Technologie (Multi-Level-Cell) mehrere Bits pro Zelle zu speichern. "Wir haben dabei die Realisierbarkeit einer neuen Technologie in einem realen Umfeld auf einem echten Chip nachgewiesen", betont Haris Pozidis, Manager of Memory and Probe Technologies bei IBM Research Zürich, gegenüber pressetext.