pte20040622010 in Forschung
Infineon präsentiert MRAM-Prototypen
Speicherchip auf Magnetbasis
München (pte010/22.06.2004/11:12)
Der Halbleiterhersteller Infineon http://www.infineon.com hat auf dem VLSI Symposium in Hawaii gemeinsam mit IBM den ersten 16-Mbit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen MRAM). Es handelt sich dabei laut Infineon um den bisher leistungsfähigsten Prototypen des Speicherchips mit der neuen MRAM-Technologie.
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