pte19990807010 in Business
Infineon mit neuer Technologie für Halbleiterfertigung
Fotolithographie-Prozeß ermöglicht Kontaktlöcher mit 30 Nanometern Durchmesser
München (pte) (pte010/07.08.1999/17:06)
Forscher der Infineon Technologies in Erlangen und Dresden haben eine neue "Deep-UV-Foto-Resist-Technik" für die Halbleiterfertigung entwickelt. Mit diesem Prozess wurden jetzt weltweit kleinste Kontaktloch-Strukturen von nur 30 Nanometern Durchmesser erzeugt - 1500 mal feiner als ein menschliches Haar. Und zwar mit konventioneller optischer Lithographie, einer Technologie, die nach bisheriger Meinung schon bei 70 Nanometer-Strukturen an die Grenzen der Auflösung stößt.
Profitieren Sie von
unabhängigem Journalismus!
Lesen Sie mit pressetext Abo+ weiter und unterstützen Sie
Qualitätsberichterstattung für nur 1 EUR pro Woche!
Das Angebot beläuft sich auf 1 EUR pro Woche bzw. 49 EUR im Jahr
– und das, solange Sie wollen. Sie bleiben flexibel, denn Ihr pressetext Abo+
passt sich an Ihre Lesegewohnheiten an und ist jederzeit kündbar