pte20040413028 in Forschung
Durchbruch bei 0.10-Micron-Technologie
Anteil brauchbarer Chips auf 80 Prozent erhöht
Seoul (pte028/13.04.2004/14:10)
Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung Electronics http://www.samsung.com/ hat nach Informationen aus Taiwan seine 0.10-Micron-DRAM-Technologie entscheidend verbessert. Wie der IT-Dienst DigiTimes berichtet, konnten Probleme mit den eingesetzten Aluminium-Oxid-Verbindungen (Al2O3) behoben werden. Dadurch könne Samsung in seiner DRAM-Fab in Taiwan den Output um eine Mio. 256 Mbit-Äquivalente pro Monat anheben.
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