pte19990410007 in Business
"Schmirgelpapier"-Legierung für Halbleiter
Widerstandsfähigere Bauteile entwickelt
Newark/Delaware (pte) (pte007/10.04.1999/10:53)
Eine neue Legierung von Siliziumcarbid und Germanium soll mit heißen, unter hoher Spannung und Hochfrequenz betriebenen Mikroelektronik- und Mikromechanik (MEMS)-Geräten besser fertigwerden als das bisher verwendete Silizium pur. Erste vielversprechende Ergebnisse präsentierte James Kolodzey, University of Delaware-Professor http://www.ee.udel.edu/devmat/index.html#pubs für Electrical and Computer Engineering http://www.udel.edu auf dem Jahrestreffen der Materials Research Society. Das Material könne auch auf Verbesserungen im punkto Geschwindigkeit und Stabilität der nächsten Generation von Silizium-Germanium-Computerchips hinweisen, wie sie derzeit von IBM http://www.ibm.com und anderen Unternehmen entwickelt werden.
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