pte20000628011 in Forschung
SiC-Kristalle arbeiten als Mini-Licht-Emitter
Herstellung von Dünnschichtfolgen aus Siliziumcarbid
Jena (pte011/28.06.2000/11:00)
Forscher der Universität Jena http://www.uni-jena.de/ haben Stapel dünner Schichten aus Siliziumcarbid (SiC )mit unterschiedlicher Kristallstruktur erzeugt. Das diamantharte, durchsichtige Material eröffnet neue Wege in der Halbleitertechnologie, weil es hohen Temperaturen standhält und besondere optoelektronische Eigenschaften besitzt. Es wird aber die herkömmlichen Silizium- und GaAs-Bausteine nicht ersetzen, sondern ergänzen. Ein Grund ist, dass die Herstellungsverfahren für hochreine SiC-Kristalle noch aufwendig und teuer ist.
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