pte20021104022 in Forschung
IBM stellt schnellsten Transistor vor
350 GHz Taktfrequenz für Kommunikationsanwendungen
East Fishkill (pte022/04.11.2002/11:54)
IBM http://www.ibm.com hat heute, Montag, den nach eigenen Angaben schnellsten Transistor auf Silizium-Basis vorgestellt. Wie der Konzern in einer Aussendung mitteilt, wurde der bipolare Transistor mit Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) erzeugt und erreicht eine Taktfrequenz von 350 GHz. IBM geht davon aus, dass dieser Transistor innerhalb von zwei Jahren Prozessoren mit einer Taktfrequenz von 150 GHz ermöglichen wird. Diese Chips sollen vor allen in Kommunikationsanwendungen zum Einsatz kommen.
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