pte20190506014 in Forschung
GaN Power ICs nun mit integrierter Sensorik
Weg für kompaktere und effizientere On-Board-Ladegeräte in Elektrofahrzeugen geebnet
Freiburg (pte014/06.05.2019/10:30)
Forscher des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik (IAF) http://iaf.fraunhofer.de haben die Funktionalität von sogenannten "GaN Power ICs" für Spannungswandler signifikant gesteigert. Sie haben hierzu Strom- und Temperatursensoren zusammen mit Leistungstransistoren, Freilaufdioden und Gate-Treibern auf einem GaN-basierten Halbleiterchip integriert. Diese Entwicklung ebnet den Weg für kompaktere und effizientere On-Board-Ladegeräte in Elektrofahrzeugen.
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