pte20001013016 in Forschung
Fremdatome verändern Eigenschaften von Nano-Halbleitern
Messverfahren für Mini-Transistoren gesucht
Hamburg (pte016/13.10.2000/11:15)
Physiker des Zentrums für Mikrostrukturforschung der Universität Hamburg arbeiten an der Entwicklung elektronischer Bauelemente, wie Transistoren, im Nanobereich. Transistoren bestehen aus Halbleitermaterialien, wie Silizium, die absichtlich mit Fremdatomen "verschmutzt" werden. Je nach "Verschmutzungsgrad", der Dotierung, haben sie unterschiedliche elektronische Eigenschaften. Diese Eigenschaften können bei sehr kleinen Transistoren schon durch wenige Fremdatome mehr oder weniger verändert werden. http://www.nanoscience.de/pressemitteilungen.html#12.Oktober2000 (URL bitte händisch eingeben)
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