pte20070831021 in Forschung
Forscher arbeiten an neuartigem Datenspeicher
Restrictive-RAM mit höherer Speicherdichte soll Flash ablösen
Göttingen (pte021/31.08.2007/12:10)
Einem internationalen Team von Physikern ist es gelungen, die Ursachen von extremen Widerstandsänderungen in Metall-Sauerstoff-Verbindungen zu entschlüsseln. Das Verständnis dieses Effekts kann nun dafür genutzt werden, neuartige Formen von nichtflüchtigen Datenspeichern zu entwickeln. "Diese neuen Speicher können als Ersatz für Flash in USB-Sticks bzw. Handys dienen", berichtet der Wissenschaftler Christian Jooß, der die Arbeit am Institut für Materialphysik der Georg-August-Universität http://www.uni-goettingen.de leitet, auf Anfrage von pressetext. Gegenüber aktuell verwendeten Flash-Speichern zeichnet sich "Resistive-RAM" durch eine höhere Speicherdichte bei gleichzeitiger Senkung der Produktionskosten aus.
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