Flash-Speicher wird 10.000-mal langlebiger

Japanische Forscher haben eine Technologie vorgeführt, mit der NAND-Flash-Speicher über 100 Mio. Schreib-Lese-Zyklen überstehen und damit 10.000-mal mehr als bisher. Gleichzeitig wird die Spannung zur Programmierung der Speicherbausteine auf weniger als ein Drittel des aktuellen Werts reduziert. Die neue Technologie ist nach Ansicht des Teams von Shigeki Sakai vom japanischen National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) http://www.aist.go.jp unter Mitarbeit von Wissenschaftlern der University of Tokyo auch für Strukturgrößen bis hinunter zu zehn Nanometern (nm) geeignet, während die konventionelle Technologie bei 30 nm an ihre Grenzen stößt.