Ferroelektrisches erhöht Datenspeicherung
Oak-Ridge-Forscher nutzen Spitze eines Rasterkraftmikroskops für neuen, wegweisenden Ansatz
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Martí Checa: ORNL-Wissenschaftler sieht viele neue Anwendungsbereiche (Foto: ornl.gov) |
Oak Ridge (pte002/09.01.2026/06:05)
Das Potenzial für Datenspeicherung erhöht sich künftig dank ferroelektrischer Materialien. Diese Entdeckung vermelden Forscher des Oak Ridge National Laboratory (ORNL), die mit speziellen Werkzeugen Materialien auf atomarer Ebene untersucht und Defekte an der Oberfläche ferroelektrischer Materialien analysiert haben. Ihre Studie ist in "ACS Nano" publiziert.
Besseres Verständnis
Die Forschungsergebnisse sorgen aus Sicht der Wissenschaftler für ein besseres Verständnis dieser Materialien, die in der modernen Elektronik verwendet werden und innovative Methoden der Datenspeicherung und -verarbeitung ermöglichen. Das Team hat ein handelsübliches Rasterkraftmikroskop mit Künstlicher Intelligenz modifiziert, um Muster in Bismutferrit präzise zusammenzusetzen und zu erkennen. Diese Methode vermeidet die invasive Elektrodenabscheidung, die den Prozess kompliziert und die Größe der Strukturen einschränkt.
"Wir können die Spitze des Rasterkraftmikroskops verwenden, um die elektrische Polarisation im Nanobereich auszurichten, sodass wir diese als topologische Strukturen bezeichneten Muster nach Bedarf schreiben, lesen und löschen können", erklärt Studienleiter Martí Checa. Die aktuelle wissenschaftliche Arbeit habe große Bedeutung für viele potenzielle Anwendungen.
Proof-of-Concept-Studie
Dieser Proof of Concept zeigt laut den Experten, wie die Manipulation von Informationen in mehreren Zuständen das Potenzial der Informationsspeicherung erhöht. Aufbauend auf der Arbeit des ORNL im Bereich der nanoskaligen Materialien, steht diese Forschung im Einklang mit den laufenden Innovationen zur Verbesserung von Speichertechnologien.
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