pte20010205061 in Forschung
Erste Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von Infineon
Halbleiter ermöglicht kleiner Schaltelemente mit höherer Zuverlässigkeit
München (pte061/05.02.2001/17:31)
Infineon hat heute, Montag, die ersten Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid vorgestellt. Solche Dioden ermöglichen deutlich geringere Schaltungsverluste und höhere Schaltfrequenzen als Dioden aus Silizium- oder Galium-Arsenid. Damit lassen sich nach Angaben von Infineon kleinere und kompaktere Schaltnetzteile mit hoher Zuverlässigkeit herstellen, die zusätzlich ohne Kühlkörper oder Lüfter auskommen. http://www.infineon.com/news/press/102_019d.htm
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