pte20110919025 in Forschung
Effiziente Transistoren sorgen für grüne Zukunft
ETH Zürich: Stromsparende Technologie auf Galliumnitrid-Basis
Zürich (pte025/19.09.2011/13:45)
Forschern an der ETH Zürich http://www.ethz.ch ist es in Zusammenarbeit mit französischen Kollegen gelungen, Galliumnitrid-Transistoren herzustellen, die auf einem speziellen Silizium-Wafer gewachsen sind. Dieser erlaubt es die Technologie mit herkömmlichen Elektronikbausteinen zu kombinieren. "In den Chips der Zukunft können herkömmliche Transistoren als Gehirn fungieren, während unsere Technologie die Rolle der Muskeln übernimmt", sagt Colombo Bolognesi von der ETH Zürich gegenüber pressetext. An der ETH werden schon seit einigen Jahren Transistoren auf Galliumnitridbasis gabaut. Das neue Modell stellt lediglich den nächsten logischen Schritt in der Evolution dieser Technologie dar.
Profitieren Sie von
unabhängigem Journalismus!
Lesen Sie mit pressetext Abo+ weiter und unterstützen Sie
Qualitätsberichterstattung für nur 1 EUR pro Woche!
Das Angebot beläuft sich auf 1 EUR pro Woche bzw. 49 EUR im Jahr
– und das, solange Sie wollen. Sie bleiben flexibel, denn Ihr pressetext Abo+
passt sich an Ihre Lesegewohnheiten an und ist jederzeit kündbar
