pte20030610016 in Forschung
Durchbruch bei MRAM-Entwicklung
Bereits 2005 soll sich neue Technologie am Markt durchsetzen
Kyoto/Japan (pte016/10.06.2003/12:10)
IBM http://www.ibm.com und Infineon Technologies AG http://www.infineon.com haben einen entscheidenden Durchbruch bei der Magnetic Random Access Memory (MRAM)-Technologie erzielt, indem sie magnetische Speicherelemente in eine leistungsstarke logische Basis integrierten. Die neue Technologie bedeutet einen Fortschritt in der Speichertechnik und hat das Potenzial moderne Speichertechnologien bereits bis 2005 zu verdrängen. MRAM könnte zu "instant on"-Computern führen, die so schnell ein- und ausgeschaltet werden wie Lichtschalter.
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