pte20210720024 in Forschung
Domänenwände in nicht-oxidischem Material
Forscher ebnen Weg für Entwicklung nanoelektrischer Elemente, wie zum Beispiel Datenspeichern
Augsburg/Zürich (pte024/20.07.2021/12:30)
Nanometerdünne Domänenwände mit enorm hoher Leitfähigkeit in einem nicht-oxidischen ferroelektrischen Material (GaV4S8): Diese Entdeckung haben Forscher der Universität Augsburg http://uni-augsburg.de und der ETH Zürich http://ethz.ch gemacht. Laut den Experten ermöglicht die starke Wechselwirkung dieser Domänenwände mit einem angelegten Magnetfeld enorme Variationen des Probenwiderstands - und damit zum Beispiel auch neue Nano-Datenspeicher.
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