pte20030610020 in Forschung
Breakthrough in MRAM technology
New generation may appear in 2005
Kyoto/ Japan (pte020/10.06.2003/13:04)
IBM http://www.ibm.com and Infineon Technologies AG http://www.infineon.com have achieved a breakthrough in MRAM (Magnetic Random Access Memory) technology by integrating magnetic storage elements into a high performance logical base.
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