pte20021210015 in Forschung
AMD präsentiert nächste Transistor-Generation
Silizium-Flosse für bessere Schalteigenschaften
San Francisco (pte015/10.12.2002/11:08)
AMD präsentiert auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco einen Transistor-Typ, der die bisher gebräuchlichen "planaren" Transistoren ersetzen könnte. Zusammen mit der Universität of Carlifornia in Berkley hat der Halbleiterhersteller einen so genannten Fin Field Effect Transistor (FinFET) entwickelt, der den Stromfluss mit Hilfe einer dünnen vertikalen "Flosse" kontrolliert. http://www.amd.com/us-en/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~64374,00.html
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