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pte20050805037 Forschung/Entwicklung, Technologie/Digitalisierung

IBM: Doppelte Geschwindigkeit bei Silizium-Germanium Chips

Chips für mobile Geräte sollen 200 GHz erreichen


New York (pte037/05.08.2005/13:44) - Die Silizium-Germanium Chips der vierten Generation sollen eine Höchstgeschwindigkeit von 200 GHz erreichen. Die neuen Halbleiter von IBM http://www.ibm.com/ mit der Bezeichnung 8HP und 8WL sind damit doppelt so schnell wie die Chips der letzten Generation.

Die Silicon-Germanium-Technologie wird verwendet, um die Leistung der Chips zu steigern und den Energieverbrauch zu reduzieren. Die SiGe-Chips werden in Handys und andere mobile Geräte eingebaut. Obwohl Silizium-Germanium Chips die Leistung steigern, ist die Technologie nicht sehr weit verbreitet, da die Produktion um einiges teurer ist als die gewöhnlicher Silizium-Chips.

Laut IBM ermöglichen die neuen Chips längere Laufzeit der Batterien und soll die Leistungsfähigkeit so erhöhen, dass mobile Geräte wie PDAs bald standardmäßig mit eingebautem GPS und WLAN-Zugang ausgestattet sind. Die Chips können auch für Kurzstrecken-Radar-Systeme (SRR) in Autos verwendet werden um diese sicherer zu machen. SiGe-Chips können an der Stoßstange angebracht werden, um den Fahrer zu warnen, wenn er einem Hindernis zu nahe kommt.

IBM entwickelt SiGe-Chips seit 1995. Laut Bernie Meyerson, Cheftechnologe der Abteilung Systeme und Technologie, wird die vierte Generation der Chips die Entwicklung mobiler Geräte in den nächsten Jahren massiv beeinflussen. "Die Silizium-Germanium-Technologie wird für eine Reihe von Entwicklungen der nächsten Jahre sehr wichtig sein und kabellose Verbindungen weltweit ermöglichen."

(Ende)
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